前面对本书进行了概览，分享了本书内容，对一些章节详读，做点小笔记分享下。
对芯片制造比较感兴趣，对本章详读，简要的记录写小笔记分享。
制造工厂：
晶圆代工厂，芯片制造厂，Foundry，台积电TSMC，中芯国际SMIC
组成:核心:生产线，服务:技术部门，生产管理部门，动力站（双路保障），废水处理站(环保，循环利用)等。
生产线主要设备: 外延炉，薄膜设备，光刻机，蚀刻机，离子注入机，扩散炉，氧化炉，研磨抛光设备，清洗设备，检测，测量设备。
BCD工艺:Bipolar,CMOS,DMOS
特征尺寸: 晶体管栅宽度
各类工艺平台:逻辑工艺平台，数模混合工艺平台，高压工艺平台，非易事存储器工艺平台，三合一工艺平台，CMOS图像传感器工艺平台，微电机系统工艺平台。
光掩模版:基板，不透光材料
光刻胶:感光树脂，增感剂，溶剂。 正性和负性。
光刻工艺: 涂光刻胶。掩模版向下曝光。定影和后烘固化
蚀刻工艺:光刻胶除胶，蚀刻未被保护的SiO2，显影，除胶。
材料:晶圆，研磨抛光材料，光按模板材料。光刻胶，电子化学品。工业气体，靶材，封装材料
硅片制造:单晶硅棒拉制，硅棒切片，硅片研磨抛光，硅片氧化
工艺流程: 芯片设计，光掩模版制作，晶圆上电路制造，(薄膜氧化，平坦化，光刻胶涂布，光刻，刻蚀，离子注入扩散，裸片检测)
