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（1）纵向PNP管： 纵向PNP管也称衬底管，由于结构的关系，内部的载流子沿着纵向运动。这种管子的特点是，管子的基区宽度WB可以准确地控制，而且做得很薄。因此，纵向PNP管的β很大。超β管的β值在2000一5000（α＝0.995-0.9998）。 是以P型衬底作为集电极，因此只有集成元器件之间采用PN结隔离槽的集成电路才能制作这种结构的管子。由于这种结构管子的载流子是沿着晶体管断面的垂直方向运动的，故称为纵向PNP管。这种管子的基区可准确地控制使其很薄，因此它的电流放大系数较大。由于纵向PNP管的集电极必须接到电路中电位的最低点，因而限制了它的应用。在电路中它通常作为射极跟随器使用。 
（2）横向PNP管： 这种结构管子的载流子是沿着晶体管断面的水平方向运动的，故称为横向PNP管。由于受工艺限制，基区宽度不可能很小，所以它的值相对较低，一般为十几倍到二、三十倍。横向PNP管的优点是： 发射结和集电结都有较高的反向击穿电压，所以它的发射结允许施加较高的反压；另外它在电路中的连接方式不受任何限制，所以比纵向PNP管有更多的用途。它的缺点是结电容较大，特征频率fT较低，一般为几~几十兆赫。 在集成电路设计中，往往把横向PNP和纵向PNP管巧妙地接成复合组态，构成性能优良的放大器。如镜像电源、微电流源、有源负载、共基—共射、共基—共集放大器等。 |
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