RK3588 EVB开发板原理图讲解【六】

2025-2-26 11:07:52

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RK3588 eMMC 控制器介绍
总体框架图

RK3588 eMMC控制器有如下特点：
 兼容5.1、5.0、4.51、4.41规范；
 支持1bit、4bit、8bit三种数据总线宽度；
 支持HS400模式，向下兼容HS200、DDR50等模式；
 支持CMD Queue。

eMMC 电路设计建议
RK3588 eMMC接口和FSPI Flash（一个复用口FSPI_M0）接口复用，在eMMC接口设计时，eMMC信号接法请按参考原理图，包含各路电源去耦电容。
使用eMMC时，引导代码放置在eMMC里。

eMMC 拓扑结构与匹配方式设计
eMMC连接示意图：

eMMC接口上下拉和匹配设计推荐如下

eMMC 上电时序要求
RK3588芯片eMMC接口属于EMMCIO电源域，只有一组供电，并无时序要求。
eMMC颗粒有两组电源，上电时序请参考JEDEC标准：

RK3588 EVB实际的emmc电路如下

整体概述

该原理图展示了eMMC Flash与主控芯片之间的连接关系，以及相关的电源、信号线路和去耦电容等元件的配置。eMMC是一种常见的非易失性存储解决方案，广泛应用于嵌入式系统、智能手机等设备中。

主要元件和连接

eMMC Flash接口：
- 图左侧有一组标有“eMMC_D0”到“eMMC_D7”的信号线，这些是eMMC的数据总线，用于在eMMC和主控芯片之间传输数据。通常，8位数据总线可以实现更高的数据传输速率。
- “eMMC_CMD”是命令线，用于主控芯片向eMMC发送命令。
- “eMMC_CLK”是时钟线，为eMMC的操作提供时钟信号。
- “eMMC_RST_N”是复位信号线，低电平有效，用于复位eMMC设备。
电阻和电容：
- 在数据总线和命令线（如“eMMC_D0”到“eMMC_D7”和“eMMC_CMD”）上，有一些串联电阻（如R4000 - R4007），这些电阻通常用于阻抗匹配，减少信号反射，提高信号完整性。
- 还有一些并联电容（如C4010 - C4017），这些电容用于滤波和去耦，帮助稳定电源和信号线路上的电压，减少噪声干扰。图中“Note”部分特别标注了C4010等电容的参数和连接方式。
主控芯片接口：
- 图中间部分显示了主控芯片的引脚连接，标有“J4000A”等标识。这些引脚与eMMC的信号线相连，实现数据、命令和时钟的传输。
- 主控芯片的引脚旁边标注了相应的信号名称，如“eMMC_D0”、“eMMC_CMD”等，与eMMC接口的信号相对应。
电源线路：
- 图中有多个电源标识，如“VCC_1V8”，表示1.8V的电源供应。这些电源通过去耦电容（如C4024 - C4027、C4045 - C4047等）连接到主控芯片和eMMC的电源引脚，用于稳定电源电压，减少电源噪声。
公司和项目信息：
- 图右下角标注了“Rockchip Confidential”，表明这是瑞芯微（Rockchip）公司的保密原理图。
- 还显示了项目名称“RK_NVR_DEMO1_RK3568_LP4A4_V21”和文件编号“RK3568开发定制_1363295530”，这些信息有助于识别该原理图所属的项目和版本。

总结

这张原理图详细展示了eMMC Flash与主控芯片之间的电气连接，包括数据传输、命令控制、时钟信号和电源管理等方面。通过合理配置电阻、电容等元件，确保了信号的稳定性和可靠性，为嵌入式系统的数据存储提供了有效的解决方案。

针对RK3588平台eMMC选型，

建议关注以下核心点：

容量灵活：根据项目需求选择16GB-256GB规格，如基础设备选32GB，AIoT多任务场景推荐64GB以上13。
性能优先：优选符合eMMC5.1标准的产品，顺序读写需达300MB/s和120MB/s以上，确保系统流畅性（如长江存储EC110实测读取310MB/s3）。
品牌稳定：推荐原厂物料（如三星、镁光、闪迪），降低兼容风险；东胜物联等厂商提供多规格方案，适配RK3588信号完整性设计。
扩展成本：若需后期升级，可搭配SD卡槽或M.2接口实现存储扩容，平衡初期投入与长期需求。