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根据Yole Developpement指出，氮化镓(GaN)组件即将在功率半导体市场快速发展，从而使专业的半导体企业受惠；另一方面，他们也将会发现逐渐面临来自英飞凌(Infineon)/国际整流器公司(InternationalRectifier；IR)等大型厂商的竞争或并购压力。 Yole估计，2015年GaN在功率半导体应用的全球市场规模约为1千万美元。但从2016-2020年之间，这一市场将以93%的年复合成长率(CAGR)成长，预计在2020年时可望达到3千万美元的产值。 目前销售GaN功率组件的主要半导体业者包括英飞凌/IR、宜普电源转换公司(EfficientPower Conversion；EPC)、GaNSystems与Transphorm等公司。 各大功率半导体业者的不同GaN功率晶体管专利（来源：Yole） 然而，这一市场也存在整并压力，这一点从英飞凌收购IR、英飞凌与松下(Panasonic)之间以及Transphorm与Furukawa之间的授权协议，以及Transphorm与富士通(Fujitsu)之间的制造合作即可看出端倪。 根据与Yole共同分析GaN功率半导体市场的KnowMade公司执行长NicolasBaron表示，英飞凌/IR拥有最佳的GaN功率专利组合，而其最大的竞争对手则是Transphorm。然而，这个IP的主导地位可能会有变化，因为像Transphorm、富士通与三菱电机(MitsubishiElectric)等新加入市场的后进者，也可能成为主要的力量，从而改写市场样貌。FurukawaElectric借着将其GaN专利产品组合独家授权给Transphorm，也拥有了得以为其将技术导入市场的策略合作伙伴。 ` 
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2个回答
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国内一般都使用其他工程的程序来生长的```所以觉得国内没什么掌握核心技术```
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2015-9-15 17:32:38
评论
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路还长。。。。。。。。。。。。。。。。。。。
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只有小组成员才能发言，加入小组>>
1212个成员聚集在这个小组
加入小组求解外围电路实现的是4脚给持续低电平复位并正常工作，高电平不工作的原因
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